Aperçu vidéo de la lithographie EUV

Expliquez pourquoi l'EUV perd de la lumière à chaque réflexion, puis tracez les ordres de diffraction : masque → deux réseaux de facettes → wafer. Utilisez des schémas papier pour expliquer les chemins optiques égaux, les revêtements et la conception de masque inverse. Montrez une réduction de 4×, une ouverture numérique (NA) jusqu'à 0,993 et des pics simulés de largeur à mi-hauteur (FWHM) de 5,4 nm. Clarifiez que 50 à 60 % correspondent à la transmission d'ordre acceptée, et non à l'efficacité du scanner ; la conception 3D comporte 2 256 facettes. Terminez par les limites des motifs périodiques, l'alignement, la cohérence et l'impression de résine non testée. Utilisez un anglais simple, définissez les termes et évitez le battage médiatique.